① 平板通道中的速度剖面与示踪粒子（侧视，E 从左指向右）
剖面：Debye–Hückel 近似下 u(y) = ueo[1 − cosh(y/λD)/cosh(h/λD)]（|ζ| ≲ 25 mV 时严格，较大 ζ 时为近似）。“封闭端”模式中反压流使净流量为零。
第 7 讲 · 电双层、电渗、电泳与 DEP | Debye 长度 λD ≪ 通道尺寸时，Helmholtz–Smoluchowski：ueo = −ε ζ E / μ
剖面：Debye–Hückel 近似下 u(y) = ueo[1 − cosh(y/λD)/cosh(h/λD)]（|ζ| ≲ 25 mV 时严格，较大 ζ 时为近似）。“封闭端”模式中反压流使净流量为零。